1. 曝光前的准备：聚酰亚胺光刻胶通常在硅片上涂覆一层均匀的薄膜。这层薄膜是光刻工艺的基础，它需要在后续的曝光过程中发生化学反应。
2. 曝光过程：在曝光阶段，通过使用掩模版和光源（如深紫外光），对涂有光刻胶的硅片进行照射。此时，光线会通过掩模版上的图案投射到光刻胶上。
3. 光化学过程：当光线与聚酰亚胺光刻胶接触时，光子会被吸收并激发出化学反应。这一过程中，光子使光刻胶中的分子发生改变，从而影响其后续的溶解性。这种变化是可逆的，即在显影过程中可以被去除或保留，取决于显影液的性质。
4. 物理过程：除了光化学过程外，曝光过程中还涉及到物理作用。例如，光线会使光刻胶发生物理形变，这有助于在后续的显影过程中形成清晰的图案。
5. 显影过程：曝光后，需要使用显影液去除未曝光的聚酰亚胺光刻胶部分，而曝光部分则保留下来。这一步是通过化学反应实现的，即显影液与未曝光的聚酰亚胺发生反应，使其溶解并去除。
6. 后续处理：显影后，得到的是清晰的图案轮廓。接下来可以进行蚀刻等后续处理步骤，以实现更精确的电路或器件加工。
总之，聚酰亚胺的曝光机理主要涉及光化学和物理过程的协同作用。通过精确控制曝光和显影过程，可以实现高精度的图案加工和电路制造。这一技术在微电子领域具有重要应用价值。
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